業界最高速
成膜技術を実現!

長年培ったCore技術により、業界最高速の成膜技術※を搭載し
たRAMフォース(低ダメージカソード付きR2Rスパッタリング
装置)の開発を行っております。

※業界最高速:ターゲットが対向しているカソードにおいて。
当社調べ(2017年3月現在)

京浜ラムテックだけの独自技術

RAMカソード

既存の対向式カソードは、成膜速度が非常に遅く実用化に課題がありました。この問題を解決したのがRAMカソードです。対向するターゲットを2枚から4枚に増やし四方をターゲットで囲む形態となっております。濃いプラズマがターゲット表面に存在する放電形態の為、狭くなったイオンシーズにより、アルゴンイオンの勢いが高まり、大きな力でターゲットにぶつかる事で、低ダメージ性を維持したまま、成膜速度を大幅に向上させました。

ロールtoロール スパッタリング装置

RAM FORCE

RAM FORCEは、プラスティックフィルム上へ光学膜やメタル等の多層成膜をすることができるロールtoロールスパッタリング装置です。当社の顧客は、RAMカソード(低ダメージカソード)の性能評価ばかりでなく、ラボの条件下で自分のアプリケーションをテストし、パイロットラインから量産ラインへと展開することができます。

RAM FORCE spec sheet

Target Material
IZO,ITO,Nb2O5,Cu,Ag and Metal
Web Width
Max400mm
Web Thickness(㎛)
50 to 200
Web Material
PET,Pl,PC,COP and others
W/UW Mam Diameter
φ400㎜
Winding Speed(m/min)
0.1 to 1.0
Cathode Structure
External / Internal
Number of Cathode
3 set
Power Supply
DC / AC
Number of Main Roller
1set
MR Temp
-10 to 80℃
Option
Bombard system ,Cold trap and others

RAMフォースの仕組みをご紹介

RAMカソードと従来の平板式スパッタリングとの比較  ※実験値と文献による推察値

基板へのダメージを60%以上低減!

従来の平板式スパッタリングとRAMカソードとの比較

従来の平板式スパッタリングでは、高いエネルギーの反跳アルゴンが基板に直接当たっていたために、基板に大きなダメージを与えていました。そこで、ターゲットを対向させることで、反跳アルゴンが直接基板に当たることを大幅に軽減させることにより、基板へのダメージを60%以上低減することに成功致しました。

RAMカソードと従来の対向式スパッタリングとの比較 ※実験値と文献による推察値

成膜速度を3倍以上向上!

従来の対向式スパッタリングとRAMカソードとの比較

従来の対向式カソードでは、ターゲットとプラズマの間にあるイオンシースが広くアルゴンイオンの勢いが弱まり、成膜速度が遅いという課題がありました。その問題を解決したのが、RAMカソードです。従来の対向式カソードと比べ、放電形態と磁場形成そのものがことなります。対向するターゲットを2枚から4枚に増やし四方をターゲットで囲む形態となっております。濃いプラズマがターゲット表面に存在する放電形態の為、狭くなったイオンシーズにより、アルゴンイオンの勢いが高まり、大きな力でターゲットにぶつかる事で、低ダメージ性を維持したまま、成膜速度を大幅に向上させました。

従来のスパッタリング技術では、多くの課題がありました。

従来の平板式スパッタリングでは、
基板に大きなダメージを与えていました。

従来の平板式スパッタリングでは、高エネルギーの反跳アルゴンが、直接基板にあたっていたため、成膜速度は速いものの、基板に大きなダメージを与えていました。

従来の対向式スパッタリングでは、
成膜速度が遅く実用に課題がありました。

従来の対向式スパッタリングでは、ターゲットとプラズマの間に広いイオンシースが生まれ、アルゴンイオンの勢いが弱いため成膜速度が遅くなっている、と当社では考えました。

RAMフォースで解決!業界最高速の成膜技術を実現!

RAMカソードは、低ダメージ性を維持したまま、
成膜速度を大幅に向上させました。

RAMカソードはターゲットで四方を囲むことにより、ターゲット表面近くに濃いプラズマを発生させることに成功。

アルゴンイオンが勢いよく大きな力でターゲットにぶつかることによって、従来までの課題を解決しました。