液晶パネルの配線材料や反射膜材料として欠く事が出来ない薄膜材料である
純銅ターゲットを御客様のニーズに合わせて御提案致します。
他にもSi/NbOX/Nb/Cr/ALなど幅広く取り扱っております。

スパッタリングとは

スパッタリングとは、真空中で不活性ガス(主に、Ar)を導入し、スパッタリングターゲット(プレート状の成膜材料)にマイナスの電圧を印加してグロー放電を発生させ、不活性ガス原子をイオン化し、高速でターゲットの表面にガスイオンを衝突させて激しく叩き、ターゲットを構成する成膜材料の粒子(原子・分子)を激しく弾き出し、勢いよく基材・基板の表面に付着・堆積させ薄膜を形成する技術のことです。

スパッタリング法では、高融点金属や合金など、真空蒸着法では困難な材料でも、成膜が可能で、広範囲な成膜材料に対応ができます。

プレーナー式スパッタリングターゲット

液晶パネルの大型化にともない、G10.5 世代まで対応可能となっております。他にもAL/Tiなど幅広く取り扱っております。

プレーナー式ターゲット(Cu)

Chemical Composition
Cu
Molding process
one-batch forming
Density
8.9g/cm3
Purity
99.99%
Maximum Rotary size
4000mm

Maximum Impurities content(Unit:ppm)

Pb
0.001
P
0.0003
Sb
0.001
Fe
0.001
S
0.0018
Ag
0.003
Ni
0.001
Se
0.001
Mn
0.001
Zn
0.0001
Te
0.001
O
0.001
As
0.001
Pb 0.001 P 0.0003
Sb 0.001 Fe 0.001
S 0.0018 Ag 0.003
Ni 0.001 Se 0.001
Mn 0.001 Zn 0.0001
Te 0.001 O 0.001
As 0.001

ロータリー式スパッタリングターゲット

液晶パネルの配線材料や反射防止膜材料として欠く事が出来ない薄膜材料であるターゲット材を御客様のニーズに合わせて御提案致します。他にもNbOX・Cr・AZOなど幅広く取り扱っております。

Rotatable Si Target

Chemical Composition
Si
Molding process
HPS
Density
2.33g/cm3(≧95%)
Purity
>99.95%
Maximum Rotary size
4,000mm

Maximum Impurities content(Unit:ppm)

Cr
10
Mo
20
V
20
Ni
40
Cu
50
O
6000
Fe
50
Ti
30
Cr 10 Mo 20
V 20 Ni 40
Cu 50 O 6000
Fe 50 Ti 30

Rotatable AL Target

Chemical Composition
Al
Molding process
one-batch forming
Density
2.7g/cm3
Purity
99.99%
Maximum Rotary size
4000mm

Maximum Impurities content(Unit:ppm)

Fe
25.1
Mn
1.28
Mg
3.37
Si
29.6
Cr
1.26
Ni
1.41
Ti
1.33
Cu
22.1
Zn
1.85
Fe 25.1 Mn 1.28
Mg 3.37 Si 29.6
Cr 1.26 Ni 1.41
Ti 1.33 Cu 22.1
Zn 1.85

Rotatable Cu Target

Chemical Composition
Cu
Molding process
one-batch forming
Density
8.9g/cm3
Purity
99.99%
Maximum Rotary size
4000mm

Maximum Impurities content(Unit:ppm)

Pb
0.001
P
0.0003
Sb
0.001
Fe
0.001
S
0.0018
Ag
0.003
Ni
0.001
Se
0.001
Mn
0.001
Zn
0.0001
Te
0.001
O
0.001
As
0.001
Pb 0.001 P 0.0003
Sb 0.001 Fe 0.001
S 0.0018 Ag 0.003
Ni 0.001 Se 0.001
Mn 0.001 Zn 0.0001
Te 0.001 O 0.001
As 0.001