SERVICE 事業紹介 真空成膜装置事業

概要

当社では高品位な膜が成膜可能な四面対向式スパッタリング法で使用するRAMカソードを開発致しました。
RAMカソードの特徴は低ダメージ・低温での成膜が可能であり、且つ表面が平滑でピンホールなどの欠陥の少ない膜の形成が可能となっております。
RAMカソードの特徴を生かし、ペロブスカイト太陽電池や有機ELなどの様々な分野で活用されております。弊社のラボルームには、RAMカソードを搭載したクラスター型スパッタリング装置を完備し、お客様から御支給して頂いた基材への成膜試験を承っております。

お客様の困っていることを
解決します!

  • ダメージを最低限に抑えて成膜したい

  • 表面の平滑な膜を形成したい

  • 耐熱温度の低い基材に膜をつけたい

  • ピンホール等の欠陥が少ない膜をつけたい

特徴

低ダメージ成膜の実現

低ダメージ成膜の実現

従来の平板式スパッタリング法ではターゲットからスパッタリング粒子や反跳アルゴンが基板に直接衝突するため成膜時のダメージが非常に大きくなります。

RAMカソードで成膜することにより粒子が直接基板に当たらない上に均一な粒子が降り注ぐため最小限のダメージで成膜が可能です。

高品位な膜の形成が可能

高品位な膜の形成が可能

対向するターゲットから飛散したスパッタリング粒子同士が衝突することにより、スパッタリング粒子の微細化が促進されます。

微細な粒子を均一な成膜をしているため表面が平滑であり、ピンホールの少ない膜の形成が可能です。

高い被覆性の実現

高い被覆性の実現

従来のスパッタリングではターゲットと平行な面が主な成膜面とされています。

RAMカソードでは成膜条件を変更することにより斜めに飛散するスパッタリング粒子を有効に使用することで側面にも85%以上(膜厚相対比)の厚さを成膜することが可能です。

RAMカソードは条件によって広範囲のプロセスが使用できます。

装置一覧

クラスター型スパッタリング装置

クラスター型スパッタリング装置

・成膜有効範囲
200mm×200mm

・装置構成
RAMカソード搭載スパッタリングチャンバー/プレーナーカソード搭載スパッタリングチャンバー搬送用センターチャンバー/ロードロックチャンバー/グローブボックス

・成膜材料
TCO(ITO等)/金属(Cu等)/金属酸化物(NiO等)/C(DLC)/その他

大面積対応縦型スパッタリング装置

大面積対応縦型スパッタリング装置

・成膜有効範囲
300mm×100mm

・装置構成
縦型RAMカソード搭載スパッタリングチャンバー

・成膜材料
TCO(ITO等)/金属(Cu等)/金属酸化物(NiO等)/C(DLC)/その他

関連製品

ITO(Indium Tin Oxide)

ITO(Indium Tin Oxide)

ITOは透明な導電性膜として用いられております。RAMカソードでは低ダメージかつ緻密な膜の形成が可能であり、デバイスの特性低下を抑えることが可能です。

ペロブスカイト太陽電池や有機ELなどのダメージに敏感なデバイスに使用されています。自社で保有している装置にて成膜試験を承っております。

DLC(Diamond Like Carbon)

DLC(Diamond Like Carbon)

平板式スパッタリング法では困難とされている高硬度なDLCの開発に成功しました。RAMカソードの特徴により表面が非常に滑らかであり、光の透過率の高いDLC膜の形成を実現しました。

自社で保有しているスパッタリング装置にて成膜試験を承っております。

RAMカソード搭載スパッタリング装置

RAMカソード搭載スパッタリング装置

RAMカソードのポテンシャルを最大限に発揮するためにRAMカソードを搭載したスパッタリング装置の開発・販売を行っております。

革新的なデザインのスパッタリング装置は海外の研究機関や企業にも納入され、実績を残しております。

事業解説動画はこちら MOVIE